電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗需要進行鹽霧腐蝕,對金屬材料的防護層、零部件進行腐蝕試驗,檢驗產(chǎn)品受鹽霧腐蝕的影響而造成的惡化,考核其抗鹽霧腐蝕的能力及在鹽霧環(huán)境下的性能變化。
鹽霧腐蝕機理主要是導(dǎo)電的鹽溶液滲入金屬內(nèi)部發(fā)生了電化學(xué)反應(yīng),形成腐蝕生成物。鹽霧腐蝕破壞過程具有很強的穿透能力,容易穿透氧化層和防護層,破壞金屬的鈍態(tài);鹽霧腐蝕還受溶解在鹽溶液里的氧的影響,加速金屬溶解;由于鹽霧試驗過程中的持續(xù)噴霧,腐蝕物的生成,滲人金屬缺陷里鹽溶液的體積逐漸膨脹,金屬內(nèi)應(yīng)力增大,引起應(yīng)力腐蝕,涂層鼓起。鹽霧腐蝕是電工電子產(chǎn)品性能考核的重要試驗,因此探討其試驗方法具有現(xiàn)實意義。
GB/T 2423.17-2008適用于比較具有相似結(jié)構(gòu)的試樣的抗鹽霧腐蝕的能力,也適用于評定保護性涂層的質(zhì),量以及均勻性,不適用于含鹽大氣中使用的產(chǎn)品。
GB/T 2423.18-2012適用于預(yù)定耐受含鹽大氣的元件或設(shè)備。
2.1試驗準備及預(yù)處理
2.1.1 試驗準備
(1)鹽溶液
a)鹽溶液的濃度為(5+1)%(質(zhì)量比);其配置方法是將質(zhì)量為(5+1)份的高品質(zhì)氛化鈉溶解在質(zhì)量為95份的蒸館水或者去離子水中。
b)PH值要求溫度在(35=2)℃時,在6.5-7.2之間。
在保證氛化鈉濃度的前提下,可以用稀鹽酸或者氫氧化鈉調(diào)節(jié)PH值。如果在較低的室溫下配置溶液,在35℃霧化時,水中的二氧化碳會揮發(fā)損失,導(dǎo)致溶液中的PH值升高。
(2)試品擺放
試品間不能接觸,不能觸及試驗箱和任何金屬,擺放角度要求受試面與垂直方向成30。
(3)溶液收集
面積為80 cm2器皿收集至少16個小時,每小時收集量1.0-2.0ml之間,至少兩個收集皿,注意器皿避免滴入凝結(jié)的溶液。
(4)試驗條件
溫度為(35+2)℃,濕度為95%。飽和溫度設(shè)置為37℃。程式設(shè)置,第一段設(shè)置20分鐘,為等待溫濕度達到試驗條件時間,不計入總的試驗時間。
2.1.2 預(yù)處理
清潔試品,不能引人二次腐蝕,盡量避免用手直接接觸試品。
2.2試驗設(shè)備
2.2.1 設(shè)備組成
(1)試驗箱
包含噴霧塔、計量筒(收集器皿)、底盤加熱裝置、支架、V型支架;通過調(diào)節(jié)噴霧塔的高低,可以控制噴霧量的大小。
(2)鹽水箱
盛放氯化鈉溶液。
(3)飽和空氣桶
用于對壓縮空氣進行加熱和加濕,使空氣達到飽和濕度后進行噴霧。加水口在后側(cè),水位觀察管在右側(cè),加水至觀察管的70%處,關(guān)閉加水口的閥門。
(4)氣源
使用空氣壓縮機集中供氣,進氣壓力在0.2-0.3MPa,調(diào)節(jié)進氣壓力可以控制噴霧量大小,壓力在出廠時已經(jīng)設(shè)置好。
(5)控制部分
控制面板、控制器件、噴霧壓力調(diào)節(jié)閥(0.07-0.17MPa,出廠時已設(shè)置好)、噴霧壓力用于調(diào)節(jié)噴霧量大小。排霧按鈕用于試驗后排霧。
(6)右側(cè)水箱
連接干濕球,做溫濕度試驗時用。
2.2.2 注意事項
(1)鹽霧試驗前,注意試驗箱底部、鹽水箱和飽和空氣桶水位正常,否則設(shè)備不啟動。設(shè)備應(yīng)設(shè)有干燒保護。(2)鹽霧試驗后,需要將底盤剩余的水排出,排水方式改為溫濕度方式啟動,即可自動排水。
2.3技術(shù)要求及影響因素
2.3.1 戶外型
戶外安裝的金屬殼體、戶外安裝的殼體的外部金屬部件應(yīng)進行試驗,按照GB/T2423.4-2008(試驗Db)進行濕熱循環(huán)試驗、按照GB/T2423.17-2008(試驗Ka:鹽霧)
進行鹽霧試驗,試驗由完全相同的2個12天周期組成。
每個12天周期包括:
(1)按照 GB/T2423.4-2008(試驗Db)進行濕熱循環(huán)試驗,試驗以24h為一個循環(huán),共進行5個循環(huán);
(2)按照GB/T2423.17-2008(試驗Ka:鹽霧)進行鹽霧試驗,試驗以24h為一個循環(huán),共進行7個循環(huán)。
2.3.2 戶內(nèi)型
戶內(nèi)安裝的金屬殼體、戶內(nèi)安裝的殼體的外部金屬部件、戶內(nèi)和戶外安裝的殼體內(nèi)部用于機械操作的金屬部件應(yīng)進行試驗,按照GB/T2423.17-2008(試驗Ka:鹽霧)進行鹽霧試驗,試驗以24h為一個循環(huán),共進行2個循環(huán)。
2.3.3 影響因素
(1)試驗溫濕度
鹽霧腐蝕的速度受試驗溫度和相對濕度影響。溫度越高腐蝕速度越快;相對濕度的臨界值是70%。
(2)鹽溶液的濃度
材料和覆蓋層的種類一般有鋼、錦和黃銅,鹽溶液的濃度對腐蝕速度的影響值是5%。當濃度大于5%時,濃度與腐蝕速度成反比;當濃度在5%以下時,濃度與腐蝕速度成正比。
(3)樣品放置角度
鹽霧是接近垂直方向沉降的,當樣品水平放置時表面承受的鹽霧量最多,腐蝕最嚴重。
(4)鹽溶液的PH值
鹽霧試驗的結(jié)果主要受pH值的影響,pH值與腐蝕性成反比,其值越低,酸性越強,腐蝕性也就越強。
(5)鹽霧沉降量和噴霧方式
鹽霧顆粒的粗細與腐蝕性成反比,越細腐蝕性越強。
噴霧一般有氣壓噴射法和噴塔法兩種方式。
2.4試后處理及檢查2.4.1 試后處理
試驗停止后,首先應(yīng)進行試驗箱排霧。排霧后開啟箱蓋,切記不要開蓋太快太快,以免蓋頂?shù)娜芤旱稳肫髅蟆O渖wV型設(shè)計就是為了避免冷凝的溶液直接滴落在樣品和收集器皿中。
試驗結(jié)束后拿出量筒時,要用木塞將量筒口封住,以免空氣中水分、二氧化碳等成分影響溶液的PH值。試后樣品的處理過程分三步:
1)在自來水下沖洗5min;
2)再用蒸館水或去離子水沖洗;
3)晃動或用氣流干燥去掉水滴。試樣在正常使用條件下放置2h(不少于1h,不超過2h)。
收集溶液的處理:
(1)測量溶液PH值,應(yīng)在6.5-7.2之間;
(2)對溶液稱重,然后將盛放溶液的器皿放入鼓風(fēng)干燥箱內(nèi),在80℃溫度下進行蒸發(fā)結(jié)晶,待水分完全蒸發(fā)后,再對析出的氯化鈉晶體進行稱重。最后計算溶液氛化鈉濃度。
2.4.2 目測檢查
沒有明顯銹痕、破裂或不超過ISO 4628-3:2003所允許的Ril銹蝕等級的其他損壞。允許保護涂層表面的損壞,但機械完整性不應(yīng)損壞;密封不應(yīng)損壞;門、鉸鏈鎖和緊固件的工作不應(yīng)有異常。
本文從適用標準及范圍、試驗準備及預(yù)處理、試驗設(shè)備及注意事項、技術(shù)要求及影響因素、試后處理及檢查五個方面探討了電工電子產(chǎn)品鹽霧腐蝕試驗方法可以為相關(guān)人員提供有力的理論指導(dǎo),使得檢驗流程規(guī)范化、標準化。